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张波，男，1964年5月生，素养，博士生导师，电子科技大学集成电路连络中心主任。国度当然科学基金委员会第十二届大家评审组大家；国度“中枢电子器件、高端通用芯片及基础软件居品”科技紧要专项总体组大家（2008-2013）；国度“极大限制集成电路制造装备及成套工艺”科技紧要专项总体组特聘大家；国度集成电路东谈主才培养基地大家组大家；中国半导体行业协会理事；中国电工期间学会电力电子学会理事；四川省电子学会半导体集成期间专委会主任等。 1985年本科毕业于北京工业学院（现北京理工大学）半导体专科，同庚推选免试参加成齐电讯工程学院（现电子科技大学）修读半导体专科工学硕士学位。1988年4月连络生毕业后留校责任于微电子科学与工程系，1990年被评为助理连络员（讲师），1994年7月破格提高副素养。1996年5月，受国度教委委用，以高档走访学者身份赴好意思国Virginia理工大学庄重，1996年11月－1999年11月，在好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）接续从事连络责任，参加了由好意思国科学基金、好意思国舟师部、Intel公司、HARRIS公司等资助的十余项科研相貌连络。1999年11月归国责任，2000年7月被破格提高素养，2002年被聘为博士生指导教训。2000年被评为四川省跨世纪后生学科带头东谈主，2002年教育部“高校后生教训奖”取得者，2005年被评为成齐市“十大凸起后生”，2011年获政府零碎津贴取得者，2004年和2018年别离获成齐市有了得孝敬优秀大家，2011年获四川省有了得孝敬优秀大家，2013年景为四川省学术和期间带头东谈主，2018年入选天府翻新领军东谈主才，2021年入选天府凸起科学家，2013年入选国度“有了得孝敬中后生大家”和“国度百千万东谈主才工程”。 从1980年代起即接力于新式功率半导体期间连络，在功率半导体范围发表SCI收录论文200余篇、EI收录论文300余篇，获中好意思发明专利授权80余项，获国度科技高出二等奖等国度及部级科研奖励11项（其中牵头取得2010年国度科技高出二等奖）。所蛊惑的施行室在功率半导体范围已培养出博士70余名、硕士1000余名。在教学与学术连络的同期为境表里企业得胜设备了百余种（款）功率半导体范围新工艺和新址品，为企业新增径直经济效益卓越100亿元。 教育配景 1996.05－1999.11 好意思国Virginia理工大学，好意思国国度工程中心功率电子系统中心（CPES）， 高档走访学者 1985.09－1988.04 成齐电讯工程学院（现电子科技大学），半导体，硕士学位 天天天国产视频在线观看 1981.09－1985.07 北京工业学院（现北京理工大学），半导体专科，学士学位 责任经历 1988.04－1994.06 电子科技大学微电子科学与工程系，教训 1994.07－2000.06 电子科技大学微电子科学与工程系，副素养 2000.07－今 电子科技大学微电子与固体电子学院，素养 2002年 －今 电子科技大学微电子与固体电子学院，博士生导师 2014.07－今 电子科技大学集成电路连络中心，主任 荣誉奖励 2010年，国度科技高出奖二等奖 1998年，26xe国度科技高出奖三等奖 2014年，国度教学后果二等奖 2009年，四川省科技高出奖一等奖 2016年，四川省科技高出奖一等奖 2014年，教育部当然科学奖二等奖 1997年，电子工业部科技高出奖二等奖 1995年，电子工业部科技高出奖三等奖 2011年，部级期间发明奖三等奖 2000年，部级科学期间奖二等奖 2011年，中国电子学会电子信息科学期间奖二等奖 2011年，中国电子科技集团公司期间发明奖一等奖 2015年，“四川电子科学期间奖”一等奖 从1980年代起即接力于新式功率半导体期间连络，屡次担任国际会议功率半导体分会主席，2010年景为国际功率半导体器件与功率集成电路学术会议（ISPSD）期间委员会（TPC）成员（群众功率半导体最高档别专科会议，张波素养是频年来初次参加该期间委员会的国内学者），2015年ISPSD大会副主席。当今携带电子科技大学功率集成期间施行室（PITEL）主攻功率半导体期间连络。 电子科技大学功率集成期间施行室（PITEL）是“电子薄膜与集成器件国度要点施行室”和“电子科技大学集成电路连络中心”的紧迫构成部分。现存16名素养/连络员、9名副素养，198名在读全日制硕士连络生和30名博士连络生，被国际同业誉为“群众功率半导体期间范围最大的学术连络团队”和“功率半导体范围连络最为全面的学术团队”。施行室对准国际一流，接力于功率半导体科学和期间连络，连络实质涵盖分立器件（从高性能功率二极管MCR、双极型功率晶体管、功率MOSFET、IGBT、MCT到RF LDMOS，从硅基到SiC和GaN）、可集得胜率半导体器件（含硅基、SOI基和GaN基）和功率集成电路（含上下压工艺集成、高压功率集成电路、电源科罚集成电路、数字援助功率集成及面向系统芯片的低功耗集成电路等）。 频年来，施行室共发表SCI收录论文300余篇。在电子器件范围顶级刊物《IEEE Electron Device Letters》和《IEEE Transactions on Electron Devices》上共发表论文60余篇。继2012年在EDL上发表7篇论文，论文数位列群众前线以后，2015年在TED上发表8篇著作，论文数再次列群众前三（在固态功率与高压器件范围居群众第一）。要害域国际最顶级学术会议IEEE ISPSD收录论文数自2006年杀青零的突破后，从2011年起均居群众连络团队前线，在ISPSD 2013、2017上论文中式数居群众连络团队第一。施行室在功率半导体期间范围已获中、好意思发明专利授权1000余项，在IGBT等多个范围授权数居国内第一。 施行室牵头取得2010年国度科技高出二等奖、2016年四川省科学期间高出一等奖、2009年四川省科学期间高出一等奖、2014年教育部当然科学二等奖等；与中国电科24所调解取得2011年中国电子科技集团公司科技发明一等奖；与上海华虹NEC调解取得2011年中国电子学会电子信息科学期间二等奖等。 施行室牵头或参研十余项国度科技紧要专项；在研国度当然科学基金相貌16项。与企业调解承担了国度高期间产业发展谈判、四川省产业发展关键紧要期间相貌、江苏省产业化转化相貌、广东省教育部产学研攀附相貌、粤港关键范围要点突破相貌等产业化相貌；面向市集研发出100余种居品；为企业设备出60V-600V功率MOS、600V-900V超结（SJ）MOS、IGBT、120V-700V BCD、高压SOI等出产平台，部分居品冲破海外把持、杀青批量出产，已销售数亿只。 1. 部分代表性论文 [1].Equivalent substrate model for lateral super junction device. IEEE Transactions on Electron Devices， v 61， n 2， p 525-532， February 2014 [2].Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS with N-Top Layer. IEEE Transactions on Electron Devices， v 62， n 9， p 2933-2939， September 1， 2015 [3].Ultralow ON-Resistance SOI LDMOS With Three Separated Gates and High-k Dielectric. IEEE Transactions on Electron Devices. 2016， 63(9): 3804-3807 [4].Analytical Model and Characteristics for High-voltage Controllable C-SenseFET.IEEE Transactions on Power Electronics. 2016， VOL. 31， NO. 6 [5].An advanced spread spectrum architecture using pseudorandom modulation to improve EMI in class D amplifier. IEEE Transactions on Power Electronics， v 26， n 2， p 638-646， 2011. [6].A 1.6-V 25-μA 5-ppm/°C curvature-compensated bandgap reference. IEEE Transactions on Circuits and Systems I: Regular Papers， v 59， n 4， p 677-84， April 2012 [7].Digital Error Corrector for Phase Lead-Compensated Buck Converter in DVS Applications. IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems， Vol.21， No.9， pp. 1747 - 1751， Sept. 2013. [8].7.6 V Threshold Voltage High-Performance Normally-Off Al 2 O 3 /GaN MOSFET Achieved by Interface Charge Engineering. IEEE Electron Device Letters， 2016， 37(2):165-168. [9].High Peak Current MOS Gate-Triggered Thyristor With Fast Turn-On Characteristics for Solid-State Closing Switch Applications. IEEE Electron Device Letters， 2015， 37(2):1-1. [10].An Accumulation Mode RF Laterally Double Diffused MOSFET with Improved Performance. IEEE Electron Device Letters，v 37，n 10，October 2016 ...... 2. 出书刊物 （1） Power Semiconductor Devices and Smart Power IC，自编课本 （2） 集成电路电源好意思满性分析与科罚，译著，电子工业出书社，2013年 （3） 功率半导体器件电场优化期间，专著，电子科技大学出书社，2016年 刺眼国际疏通与调解，蛊惑施行室和好意思国北卡州立大学、英国剑桥大学、加拿大多伦多大学、香港科技大学、好意思国ADI（Analog Device Inc.）公司、好意思国ON Semiconductor、好意思国MPS、日本Rohm公司以及台湾AME、EUTECH、NIKO-SEMI和NUVOTON等高校和企业开展了密切调解。并与ADI公司、ON Semiconductor、MPS建设连合施行室。 积极开展产学研用调解，蛊惑施行室和中科院微电子所、中科院微系统所、中国电子科技集团13所、24所、58所、深圳华为、株洲南车、国度电网、广东好意思的、四川长虹、华虹NEC、华润微电子、杭州士兰微、天津中环半导体、吉林华微、江苏东光、深圳有趣、北京新雷能等数十家企业开展了密切调解。并与58所、华润、中环、北京新雷能等企业建设了校企连合施行室。 施行室已培养博士70余名、硕士1000余名，其中多东谈主成为国表里要害域主干。频年施行室毕业连络生每年卓越100东谈主，已成为群众功率半导体范围培养连络生最多的东谈主才培养基地。
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